“磁屏蔽材料，CO-NETIC磁屏蔽材料，S3-6磁屏蔽材料”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | 电磁屏蔽材料 |
| 材料： | 永磁材料 | 类型： | 屏蔽材料 |
| 型号： | 电磁屏蔽材料 | 规格： | 进口 |
| 最大磁导率： | 4.000 | 拉伸强度,PSI x 103： | 42 |
| 饱和感应(高斯)： | 21,400 | 膨胀系数,per ℃ x 10－6： | 13.7 |
| 产量： | 5000 |
“磁屏蔽材料，CO-NETIC磁屏蔽材料，S3-6磁屏蔽材料”详细介绍
磁屏蔽材料
基本原理
当磁场的频率很低（工频或100KHz以下）时，传统的屏蔽方法几乎没有作用。低频磁场一般由马达、发电机、变压器等设备产生。这些磁场会对利用磁场工作的设备产生影响，如阴极射线管中的电子束是在磁场的控制下进行扫描的，当有外界磁场干扰时，电子束的偏转会发生变化，使图像失真。
低频磁场的屏蔽是使用铁磁性材料将敏感器件包起来。屏蔽的作用是为磁场提供一条低磁阻的通路，使敏感器件周围的磁力线集中在屏蔽材料中，从而起到屏蔽的作用。
设计中的一个关键是选择一种材料既能提供足够的屏蔽效能，又不至于发生饱和。当要屏蔽的磁场很强时，一层屏蔽可能满足不了要求，这时可以采用多层屏蔽。多层屏蔽的原理是先用导磁率较低，不易饱和的材料将磁场衰减到一定的程度，然后再用磁导率很高(通常容易发生饱和)的材料进行进一步衰减。因此低导磁率的材料应靠近干扰源。
完全的封闭体能够提供最理想的磁屏蔽效果。但在实践中，不封闭的结构，如五面体或更少面的结构，甚至平板也能提供满足要求的屏蔽效能。当使用平板时，应使平板体的长度和宽度大于干扰源到敏感源之间的距离。由于材料的磁阻与屏蔽结构的尺寸有关，因此除了选用合适的材料以外，尽量缩短磁路的长度、增加截面积也能增加磁屏蔽效能。
磁屏蔽材料特性
CO—NETIC和NETIC材料是两种特殊的磁屏蔽材料。CO-NETIC材料具有极高的导磁率，可以有效衰减低频磁场干扰，达到极高磁场屏蔽，NETIC材料有极好的抗磁饱和能力，能在强磁场产生一定衰减。
基本原理
当磁场的频率很低（工频或100KHz以下）时，传统的屏蔽方法几乎没有作用。低频磁场一般由马达、发电机、变压器等设备产生。这些磁场会对利用磁场工作的设备产生影响，如阴极射线管中的电子束是在磁场的控制下进行扫描的，当有外界磁场干扰时，电子束的偏转会发生变化，使图像失真。
低频磁场的屏蔽是使用铁磁性材料将敏感器件包起来。屏蔽的作用是为磁场提供一条低磁阻的通路，使敏感器件周围的磁力线集中在屏蔽材料中，从而起到屏蔽的作用。
设计中的一个关键是选择一种材料既能提供足够的屏蔽效能，又不至于发生饱和。当要屏蔽的磁场很强时，一层屏蔽可能满足不了要求，这时可以采用多层屏蔽。多层屏蔽的原理是先用导磁率较低，不易饱和的材料将磁场衰减到一定的程度，然后再用磁导率很高(通常容易发生饱和)的材料进行进一步衰减。因此低导磁率的材料应靠近干扰源。
完全的封闭体能够提供最理想的磁屏蔽效果。但在实践中，不封闭的结构，如五面体或更少面的结构，甚至平板也能提供满足要求的屏蔽效能。当使用平板时，应使平板体的长度和宽度大于干扰源到敏感源之间的距离。由于材料的磁阻与屏蔽结构的尺寸有关，因此除了选用合适的材料以外，尽量缩短磁路的长度、增加截面积也能增加磁屏蔽效能。
磁屏蔽材料特性
CO—NETIC和NETIC材料是两种特殊的磁屏蔽材料。CO-NETIC材料具有极高的导磁率，可以有效衰减低频磁场干扰，达到极高磁场屏蔽，NETIC材料有极好的抗磁饱和能力，能在强磁场产生一定衰减。
“磁屏蔽材料，CO-NETIC磁屏蔽材料，S3-6磁屏蔽材料”其他说明
| 技术参数 | CO-NETIC AA | CO-NETIC AA | CO-NETIC B | NETIC S3-6 |
| 完全退火 | 压力退火 | 压力退火 | 压力退火 | |
| 密度 | 8.74 | 8.74 | 8.18 | 7.86 |
| 膨胀系数,per ℃ x 10 －6 | 12.6 | 12.6 | 8.3 | 13.7 |
| 拉伸强度,PSI x 10 3 | 64 | 85 | 80 | 42 |
| 屈服应力,PSI x 10 3 | 18.5 | 33 | 27 | 27 |
| 弹性模量,PSI x 10 6 | 25 | 30 | 24 | 30 |
| 硬度,Rockwell B | 50 Ref. | 70 Ref. | 68 Ref. | 50 Ref. |
| 2英寸伸长率（百分比） | 27% | 32% | 32% | 38% |
| 熔点 | 2650 o F1454℃ | 2650 o F1454℃ | 2600 o F1427℃ | 2790 o F1532℃ |
|
导热性(cal/sec/cm 2 /cm/℃) at 20℃ |
.138 | .138 | .037 | .118 |
| 电阻 ohms/cir mil-foot | 330 | 330 | 290 | 64 |
| 微欧姆-厘米 | 55 | 55 | 48 | 11 |
| 饱和感应(高斯) | 8,000 | 8,000* | 15.000* | 21,400 |
| 起始磁导率 | 30.000 | 30,000* | 8,000* | 200 |
| 磁导率 at 40 B | 75,000 | 75,000* | 12,000* | 300 |
| 磁导率 at 200 B | 135,000 | 135,000* | 30.000* | 500 |
| 最大磁导率 | 450,000 | 45,000* | 150,000* | 4.000 |
| 磁感应 at μ max | 3.000 | 3,000* | 7,000* | 8.000 |
| 抗磁力 Hc,奥斯特 | .015 | .015* | .05 | 1.0 |
| 居里温度 | 850 o F 454℃ | 850 o F 454℃ | 840 o F 449℃ | 1420 o F 770℃ |
| 最低工作温度 | 4 o K | 4 o K | 4 o K | 4 o K |
