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“功率管IRFP250N现货热卖 IR原装正品”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 封装： | TO247 |
| 功能结构： | 模拟集成电路 | 制作工艺： | 半导体集成电路 |
| 导电类型： | 单极型 | 集成度高低： | 大规模集成电路 |
| 应用领域： | 标准通用 | 型号： | IRFP250N |
| 规格： | 原装 | 商标： | IR |
| 包装： | 管件 | 产量： | 10000 |
“功率管IRFP250N现货热卖 IR原装正品”详细介绍
全新原装现货 IR 管件全系列供货 欢迎查询 FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 200V 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） 30A （Tc） 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 75 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 123nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2159pF @ 25V 功率 - 最大值 214W 安装类型 通孔
