“铁电存储器（FM25V10-G）”参数说明
| 型号： | FM25V10-G |
“铁电存储器（FM25V10-G）”详细介绍
1Mbit位非易失性铁电存储器
结构容量为128K＊8位
读／写次数达到100万亿（1014）次
掉电数据保存10年
写数据无延迟
采用先进的高可靠性铁电制造工艺
高速串行外设接口-SPI
总线频率可达40MHz
硬件上可直接替换串行Flash
SPI模式0＆3（CPOL，CPHA＝0，0＆1，1）
写保护机制
硬件保护
软件保护
器件ID和序列号
器件ID能读出制造商、产品密度和版本信息
唯一的序列号（FM25VN10）
低电压，低功率
工作电压：2.0V～3.6V
待机电流（典型值）：90µA
睡眠模式电流（典型值）：5µA
工业标准
工业级温度：-40℃～＋85℃
8脚环保／RoHS SOIC封装
结构容量为128K＊8位
读／写次数达到100万亿（1014）次
掉电数据保存10年
写数据无延迟
采用先进的高可靠性铁电制造工艺
高速串行外设接口-SPI
总线频率可达40MHz
硬件上可直接替换串行Flash
SPI模式0＆3（CPOL，CPHA＝0，0＆1，1）
写保护机制
硬件保护
软件保护
器件ID和序列号
器件ID能读出制造商、产品密度和版本信息
唯一的序列号（FM25VN10）
低电压，低功率
工作电压：2.0V～3.6V
待机电流（典型值）：90µA
睡眠模式电流（典型值）：5µA
工业标准
工业级温度：-40℃～＋85℃
8脚环保／RoHS SOIC封装
